Infineon MOS管, Vds=650 V, 20 A, PG-HDSOP-10, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-3875P
- 制造商零件编号:
- IPDD60R125G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB15.14 |
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| 250 - 499 | RMB14.54 |
| 500 + | RMB14.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3875P
- 制造商零件编号:
- IPDD60R125G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | PG-HDSOP-10 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 PG-HDSOP-10 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 双 DPAK 是首款顶面冷却表面安装器件封装,适用于 PC 电源、太阳能、服务器和电信等高功率 SMPS 应用。现有的高电压技术 600V CoolMOS G7 超级接线 MOSFET 的优点与创新的顶侧冷却概念结合在一起,为 PFC 等高电流硬切换拓扑提供系统解决方案,以及为 LLC 拓扑提供高效解决方案。
创新型顶侧冷却概念
内置第 4 引脚 Kelvin 源配置和低寄生源电感
允许更高的功率密度解决方案
超过最高质量标准
内置第 4 引脚 Kelvin 源配置和低寄生源电感
允许更高的功率密度解决方案
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