Infineon N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 20 A, TDSON, 8引脚, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
258-3877P
制造商零件编号:
IPG20N06S2L35AATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

OptiMOS

包装类型

TDSON

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

35mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最大功耗 Pd

65W

晶体管配置

双

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 功率晶体管是双 Super S08,可替代多个 DPAK,可显著节省印刷电路板面积和降低系统级别成本。较大的源引线框架连接,用于电线粘结,具有与 DPAK 相同的热性和电气性能,具有相同的模具尺寸。

双 N 通道逻辑电平 - 增强模式

AEC Q101 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

工作温度 175°C

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