Infineon N型沟道 双 N 沟道逻辑电平增强模式 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, TDSON, IPG20N06S4L-11系列, IPG20N06S4L11ATMA1
- RS 库存编号:
- 258-3879
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB15.945 | RMB31.89 |
| 10 - 98 | RMB14.325 | RMB28.65 |
| 100 - 248 | RMB13.825 | RMB27.65 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3879
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | IPG20N06S4L-11 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 IPG20N06S4L-11 | ||
包装类型 TDSON | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS T2 功率晶体管是双 Super S08,可替代多个 DPAK,可显著节省印刷电路板面积和降低系统级别成本。暴露式垫提供出色的热传输,两个 N 通道 MOSFET 在一个封装中,带 2 个隔离引线框架。
双 N 通道逻辑电平 - 增强模式
AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
工作温度 175°C
绿色产品(符合 RoHS 标准)
100% 雪崩测试