Infineon N型沟道 双 N 沟道逻辑电平增强模式 双N型 MOSFET, Vds=100 V, 20 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOSTM-T2系列
- RS 库存编号:
- 258-3883P
- 制造商零件编号:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB13.29 |
| 100 - 248 | RMB12.635 |
| 250 - 498 | RMB11.75 |
| 500 + | RMB10.695 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3883P
- 制造商零件编号:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOSTM-T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 双N | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOSTM-T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 双N | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
晶体管配置 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 功率晶体管是双 N 通道正常电平增强模式。工作温度为 175°C。
AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流