Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=60 V, 136 A, TDSON, 表面安装, IPI系列
- RS 库存编号:
- 258-3885P
- 制造商零件编号:
- IPI029N06NAKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB18.41 |
| 20 - 28 | RMB17.495 |
| 30 - 38 | RMB16.27 |
| 40 + | RMB14.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3885P
- 制造商零件编号:
- IPI029N06NAKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 136A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | IPI | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 136A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 IPI | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 P | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率晶体管经过优化,可用于开关模式电源的同步整流,如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外,这些设备是广泛的工业应用的理想选择,包括电动机控制、太阳能微型变频器和快速切换直流到直流转换器。
与类似器件相比,FOM 提高了 40%
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 等级
最高系统效率
需要较少的并行
增强的功率密度