Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, TDSON, 表面安装, IPLK60R360PFD7ATMA1, IPL系列
- RS 库存编号:
- 258-3887P
- 制造商零件编号:
- IPLK60R360PFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB9.825 |
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| 250 - 498 | RMB8.68 |
| 500 + | RMB7.905 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3887P
- 制造商零件编号:
- IPLK60R360PFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | IPL | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 IPL | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了 CoolMOS 7,适用于消费者应用。CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 采用 ThinPAK 5x6 封装,具有 360mΩ 的 RDS(接通),从而实现低切换损耗。此封装具有 5x6mm2 的超小尺寸和超薄型,高度为 1mm。结合其基准低寄生性,这些功能导致显著较小的形状因素并有助于提高功率密度。CoolMOS PFD7 产品随附快速主体二极管,可确保坚固的设备,从而减少客户的材料成本。
集成坚固的快速主体二极管
高达 2kV ESD 保护
出色的转换坚固性
低 EMI
BOM 降低成本和易于制造
坚固性和可靠性
易于选择正确的部件,用于设计精细调整