Infineon MOS管, Vds=650 V, 14 A, PG-TDSON-8, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-3888
- 制造商零件编号:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | RMB4.062 | RMB20,310.00 |
| 10000 - 10000 | RMB3.981 | RMB19,905.00 |
| 15000 + | RMB3.861 | RMB19,305.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3888
- 制造商零件编号:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续漏极电流 | 14 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续漏极电流 14 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 超级接线 MOSFET 补充了 CoolMOS 7,适用于消费者应用。超级接线 MOSFET 采用 ThinPAK 5x6 封装,具有 600mΩ 的 RDS(接通),导致低切换损耗。此封装具有 5x6mm2 的超小尺寸和超薄型,高度为 1mm。结合其基准低寄生性,这些功能导致显著较小的形状因素并有助于提高功率密度。CoolMOS PFD7 产品随附快速主体二极管,可确保坚固的设备,从而减少客户的材料成本。
非常低的 FOM RDS(on) x Eoss
集成坚固的快速主体二极管
高达 2kV ESD 保护
宽范围的 RDS(接通)值
最大程度地减少切换损耗
与最新的 CoolMOS 充电器技术相比,功率密度提高
集成坚固的快速主体二极管
高达 2kV ESD 保护
宽范围的 RDS(接通)值
最大程度地减少切换损耗
与最新的 CoolMOS 充电器技术相比,功率密度提高