Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 120 A, TDSON, 通孔安装, 3引脚, IPP系列
- RS 库存编号:
- 258-3890
- 制造商零件编号:
- IPP034N08N5AKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB10.435 | RMB521.75 |
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| 150 + | RMB10.022 | RMB501.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3890
- 制造商零件编号:
- IPP034N08N5AKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | IPP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.4mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 正向电压 Vf | 0.97V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 69nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 IPP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.4mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
正向电压 Vf 0.97V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 69nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V 功率 MOSFET,专门设计用于电信和服务器电源的同步整流。此外,该设备还可用于其他工业应用,如太阳能、低电压驱动器和适配器。在七种不同的封装中,OptiMOS 5 80 V MOSFET 提供行业最低的 RDS(接通)。此外,与前一代相比,OptiMOS 5 80 V 的 RDS(接通)降低高达 43%。
特别适用于高切换频率
输出电容降低高达 44%
最高系统效率
减少切换和导电损耗
需要较少的并行
增强的功率密度
低电压过冲