Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=650 V, 50 A, TO-220, IPP系列
- RS 库存编号:
- 258-3896
- 制造商零件编号:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3896
- 制造商零件编号:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | IPP | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 102nC | |
| 最大功耗 Pd | 227W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 IPP | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 102nC | ||
最大功耗 Pd 227W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 650V CoolMOS CFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO-220 封装,特别适用于工业应用中的谐振拓扑,如服务器、电信、太阳能和 EV 充电站,与竞争对手相比,可显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的继任者,它具有降低的栅极电荷、改进的关闭行为和降低的反向恢复电荷,可实现最高效率和功率密度以及额外的 50V 断路电压。
超快的主体二极管和非常低的 Qrr
650V 断路电压
与竞争对手相比,可显著减少切换损耗
出色的硬切换坚固性
额外的安全边缘,用于增加总线电压的设计
允许增加功率密度