Infineon MOS管, Vds=700 V, 211 A, PG-TO220-3, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-3897P
- 制造商零件编号:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 14 | RMB43.01 |
| 15 - 19 | RMB34.92 |
| 20 - 24 | RMB34.22 |
| 25 + | RMB33.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3897P
- 制造商零件编号:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续漏极电流 | 211 A | |
| 最大漏源电压 | 700 V | |
| 封装类型 | PG-TO220-3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续漏极电流 211 A | ||
最大漏源电压 700 V | ||
封装类型 PG-TO220-3 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 650V CoolMOS CFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO-220 封装,特别适用于工业应用中的谐振拓扑,如服务器、电信、太阳能和 EV 充电站,与竞争对手相比,可显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的继任者,它具有降低的栅极电荷、改进的关闭行为和降低的反向恢复电荷,可实现最高效率和功率密度以及额外的 50V 断路电压。
超快的主体二极管和非常低的 Qrr
650V 断路电压
与竞争对手相比,可显著减少切换损耗
出色的硬切换坚固性
额外的安全边缘,用于增加总线电压的设计
允许增加功率密度
650V 断路电压
与竞争对手相比,可显著减少切换损耗
出色的硬切换坚固性
额外的安全边缘,用于增加总线电压的设计
允许增加功率密度