Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 22 A, TO-247, 3引脚, IPW系列
- RS 库存编号:
- 258-3906
- 制造商零件编号:
- IPW60R099C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB21.375 | RMB641.25 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3906
- 制造商零件编号:
- IPW60R099C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | IPW | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 22A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 IPW | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
与 CoolMOS CP 相比,Infineon 600V CoolMOS C7 超级接线 MOSFET 系列可减少 ∼50% 关闭损耗,在 PFC、TTF 和其他硬切换拓扑中提供出色的性能水平。MOSFET 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。效率和 TCO 应用,如超数据中心和高效电信整流器(>96%)受益于 CoolMOS C7 提供的更高效率。可在 PFC 和 LLC 拓扑中实现 0.3% 至 0.7% 的增益,以及 0.1% 的增益。例如,在 2.5kW 服务器 PSU 中,使用 TO-247 4 引脚封装中的 600V CoolMOS C7 SJ MOSFET 可降低 ∼10% 的能源成本,从而降低 PSU 能量损耗。
更高的切换频率
世界上最佳 R(接通)A
坚固的主体二极管
测量显示轻负载和满负载效率的关键参数
切换频率的翻倍将使磁性元件的尺寸增加一半
较小的封装,用于相同的 R DS(on)
可用于更多位置,用于硬切换和软切换拓扑