Infineon N型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=483 A, TO-247, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3950
- 制造商零件编号:
- IRF100P218AKMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB44.777 | RMB1,119.43 |
| 50 - 50 | RMB43.882 | RMB1,097.05 |
| 75 + | RMB43.004 | RMB1,075.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3950
- 制造商零件编号:
- IRF100P218AKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 483A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 483A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET StrongIRFET 具有改进的门、雪崩和动态 dv/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
UPS 和变频器应用
半桥和全桥拓扑
谐振模式电源
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