Infineon MOSFET, Vds=100 V, 316 A, TO-247, 表面安装, IRF100P219AKMA1, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3953P
- 制造商零件编号:
- IRF100P219AKMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 4 | RMB24.51 |
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| 10 - 14 | RMB19.89 |
| 15 + | RMB19.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3953P
- 制造商零件编号:
- IRF100P219AKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 316A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 316A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET StrongIRFET 经过优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性。它是符合 JEDEC 标准的产品验证。改进的门、雪崩和动态 dv/dt 坚固性。
非常低的 RDS(接通)
出色的门充电 RDS(接通)
优化 Qrr
减少导电损耗
特别适用于高切换频率