Infineon N型沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=224 A, TO-247, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
258-3955P
制造商零件编号:
IRF150P220AKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

224A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-247

系列

HEXFET

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

2.70mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

+175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon MOSFET StrongIRFET 经过优化,可从分配合作伙伴获得最广泛的可用性,与 150°C 额定部件相比,可靠性更高。

优化 Qrr

较低的过冲电压

减少导电损耗

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