Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 182 A, TO-247AC, 表面安装, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列, IRF200P222
- RS 库存编号:
- 258-3959
- 制造商零件编号:
- IRF200P222
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 258-3959
- 制造商零件编号:
- IRF200P222
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 182A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 表面安装, 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.6mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 556W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 135nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 182A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247AC | ||
安装类型 表面安装, 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.6mΩ | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 556W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 135nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon StrongIRFET MOSFET 具备增强的栅极、雪崩及动态电压变化鲁棒性，其电容特性与雪崩安全工作区 (SOA) 已获全面表征。
增强型体二极管电压/电流变化耐受能力
无铅，符合 RoHS 标准