Infineon N沟道MOS管, Vds=80 V, 12 A, MG-WDSON-5, 贴片安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3962
- 制造商零件编号:
- IRF6646TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 4800 件）*
¥34,291.20
(不含税)
¥38,750.40
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | RMB7.144 | RMB34,291.20 |
| 9600 - 9600 | RMB7.001 | RMB33,604.80 |
| 14400 + | RMB6.861 | RMB32,932.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3962
- 制造商零件编号:
- IRF6646TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | MG-WDSON-5 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 MG-WDSON-5 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 硅技术,带高级 DirectFETTM 封装,可在具有 SO-8 印迹和仅 0.7 mm 轮廓的封装中实现最低接通电阻。DirectFET 封装与电源应用、印刷电路板组装设备和蒸汽相位、红外线或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。应用说明 AN-1035 遵循有关制造方法和流程的要求。
特定应用的 MOSFET
特别适用于高性能隔离转换器
初级开关插座
优化用于同步整流
低导电损耗
高 Cdv/dt 抗扰性
薄型 (<0.7mm)
兼容双面冷却
与现有的表面安装技术兼容
特别适用于高性能隔离转换器
初级开关插座
优化用于同步整流
低导电损耗
高 Cdv/dt 抗扰性
薄型 (<0.7mm)
兼容双面冷却
与现有的表面安装技术兼容