Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 68 A, WDSON, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3962
- 制造商零件编号:
- IRF6646TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 4800 件）*
RMB37,128.00
(不含税)
RMB41,956.80
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年10月26日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | RMB7.735 | RMB37,128.00 |
| 9600 - 9600 | RMB7.58 | RMB36,384.00 |
| 14400 + | RMB7.428 | RMB35,654.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3962
- 制造商零件编号:
- IRF6646TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 68A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | WDSON | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.5mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 68A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 WDSON | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.5mΩ | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 硅技术,带高级 DirectFETTM 封装,可在具有 SO-8 印迹和仅 0.7 mm 轮廓的封装中实现最低接通电阻。DirectFET 封装与电源应用、印刷电路板组装设备和蒸汽相位、红外线或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。应用说明 AN-1035 遵循有关制造方法和流程的要求。
特定应用的 MOSFET
特别适用于高性能隔离转换器
初级开关插座
优化用于同步整流
低导电损耗
高 Cdv/dt 抗扰性
薄型 (<0.7mm)
兼容双面冷却
与现有的表面安装技术兼容
相关链接
- Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 68 A, WDSON, 表面安装, IRF6646TRPBF, HEXFET系列
- Infineon MOSFET, Vds=25 V, 220 A, WDSON, 表面安装, HEXFET系列
- Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 180 A, WDSON, 表面安装, HEXFET系列
- Infineon MOSFET, Vds=25 V, 220 A, WDSON, 表面安装, IRF6717MTRPBF, HEXFET系列
- Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 180 A, WDSON, 表面安装, IRF6727MTRPBF, HEXFET系列
- Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 67 A, Micro8, HEXFET系列
- Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 57 A, SO-8, HEXFET系列
- Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 67 A, Micro8, IRF6674TRPBF, HEXFET系列