Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=180 A, WDSON, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3968P
- 制造商零件编号:
- IRF6727MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRF6727MTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | WDSON | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.4mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 49nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 正向电压 Vf | 0.77V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 WDSON | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.4mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
正向电压 Vf 0.77V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon StrongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
高额定电流
双面冷却能力
低封装高度为 0.7mm
紧凑型形状因数
高效率
环保