Infineon MOSFET, Vds=150 V, 8.7 A, TO-220, 表面安装, 5引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3973
- 制造商零件编号:
- IRFI4019H-117PXKMA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 258-3973
- 制造商零件编号:
- IRFI4019H-117PXKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.7A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 数字音频 MOSFET 半桥专门设计用于 D 类音频放大器应用。它包含两个功率 MOSFET 开关,以半桥配置连接。最新工艺用于实现每个硅面积的低接通电阻。此外,栅极充电、主体二极管反向恢复和内部栅极电阻均经过优化,可提高关键 D 类音频放大器性能因素,如效率、THD 和 EMI。这些组合使此半桥成为用于 D 类音频放大器应用的高效、坚固且可靠的设备。
低 RDS(接通)
双 N 通道 MOSFET
集成半桥封装
低 Qrr
环保
高功率密度
集成设计
板节省
低 EMI