Infineon MOSFET, Vds=200 V, 9.1 A, TO-220, 表面安装, 5引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3975
- 制造商零件编号:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥608.00
(不含税)
¥687.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月16日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB12.16 | RMB608.00 |
| 100 - 100 | RMB11.917 | RMB595.85 |
| 150 + | RMB11.679 | RMB583.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3975
- 制造商零件编号:
- IRFI4020H-117PXKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9.1A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon StrongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
双 N 通道 MOSFET
高功率密度
集成设计
板节省