Infineon N型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=11 A, 5针, TO-220, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3978P
- 制造商零件编号:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB10.88 |
| 20 - 28 | RMB10.335 |
| 30 - 38 | RMB9.615 |
| 40 + | RMB8.745 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3978P
- 制造商零件编号:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 72.50mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 72.50mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 10V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon StrongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。
集成半桥封装
高效率和 THD
低 EMI
环保