Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 56 A, TO-252, 表面安装, IRFR2405TRLPBF, HEXFET系列

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RS Stock No.:
258-3984
Mfr. Part No.:
IRFR2405TRLPBF
Brand:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

56A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-252

系列

HEXFET

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

110W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon R MOSFET 系列功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。

平面电池结构,用于宽 SOA

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准

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从分销合作伙伴提供广泛的可用性