Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 49 A, TO-262, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3987
- 制造商零件编号:
- IRFZ44NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3987
- 制造商零件编号:
- IRFZ44NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 49A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 49A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-262 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 来自国际整流器高级处理技术,可实现每硅面积极低的电阻。这种优势与 HEXFET 功率 MOSFET 知名的快速切换速度和坚固设计设备结合在一起,为设计人员提供极高效、可靠的设备,适用于各种应用。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准