Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 49 A, TO-262, 表面安装, IRFZ44NSTRLPBF, HEXFET系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 2 件)*

¥23.94

(不含税)

¥27.06

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 414 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
2 - 8RMB11.97RMB23.94
10 - 98RMB11.615RMB23.23
100 - 248RMB11.035RMB22.07
250 - 498RMB10.265RMB20.53
500 +RMB9.34RMB18.68

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
258-3988
制造商零件编号:
IRFZ44NSTRLPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

49A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-262

系列

HEXFET

安装类型

表面

正向电压 Vf

1.2V

标准/认证

No

Distrelec Product Id

304-40-546

汽车标准

Infineon HEXFET 功率 MOSFET 来自国际整流器高级处理技术,可实现每硅面积极低的电阻。这种优势与 HEXFET 功率 MOSFET 知名的快速切换速度和坚固设计设备结合在一起,为设计人员提供极高效、可靠的设备,适用于各种应用。

平面电池结构,用于宽 SOA

经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性

产品符合 JEDEC 标准