Infineon N沟道MOSFET, Vds=55 V, Id=64 A, TO-263, HEXFET系列

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RS 库存编号:
258-3989
制造商零件编号:
IRFZ48NSTRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.014Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

81nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

130W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

来自国际整流器的 Infineon HEXFET 功率 MOSFET 使用先进的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。这种优势与 HEXFET 功率 MOSFET 知名的快速切换速度和坚固的设备设计结合在一起,为设计人员提供高效可靠的设备,适用于各种应用。D2Pak 是表面安装电源封装,可容纳高达 HEX-4 的模具尺寸。它在任何现有的表面安装封装中提供最高功率容量和最低的接通电阻。由于其内部连接电阻低,D2Pak 适用于高电流应用,并且在典型的表面安装应用中可消散高达 2.0W。

先进的过程技术

表面安装

薄型通孔

175°C 工作温度

快速切换

完全雪崩等级

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