Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 64 A, TO-263, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3990P
- 制造商零件编号:
- IRFZ48NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3990P
- 制造商零件编号:
- IRFZ48NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.014Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 81nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 130W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-547 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.014Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 81nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 130W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
Distrelec Product Id 304-40-547 | ||
汽车标准 否 | ||
来自国际整流器的 Infineon HEXFET 功率 MOSFET 使用先进的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。这种优势与 HEXFET 功率 MOSFET 知名的快速切换速度和坚固的设备设计结合在一起,为设计人员提供高效可靠的设备,适用于各种应用。D2Pak 是表面安装电源封装,可容纳高达 HEX-4 的模具尺寸。它在任何现有的表面安装封装中提供最高功率容量和最低的接通电阻。由于其内部连接电阻低,D2Pak 适用于高电流应用,并且在典型的表面安装应用中可消散高达 2.0W。
先进的过程技术
表面安装
薄型通孔
175°C 工作温度
快速切换
完全雪崩等级