Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 17 A, TO-263, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3991
- 制造商零件编号:
- IRL530NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3991
- 制造商零件编号:
- IRL530NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 3.8W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 3.8W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22.7nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 是来自 International Rectifier 的第五代 HEXFET,采用先进的处理技术,以实现每个硅面积的最低接通电阻。这种优势与 HEXFET 功率 MOSFET 知名的快速切换速度和坚固的设备设计结合在一起,为设计人员提供极高效的设备,适用于各种应用。
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