Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 61 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3998
- 制造商零件编号:
- IRLR3915TRPBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥7,870.00
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB3.935 | RMB7,870.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3998
- 制造商零件编号:
- IRLR3915TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 61A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 120W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 61A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 17mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 120W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。此产品的附加功能包括 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能结合在一起,使此设计成为一种非常高效可靠的设备,适用于各种应用。
先进的过程技术
超低接通电阻
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