Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 61 A, TO-252, 表面安装, IRLR3915TRPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
258-3999
制造商零件编号:
IRLR3915TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

61A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

17mΩ

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

最大功耗 Pd

120W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Distrelec Product Id

304-40-553

Infineon HEXFET 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。此产品的附加功能包括 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能结合在一起,使此设计成为一种非常高效可靠的设备,适用于各种应用。

先进的过程技术

超低接通电阻

快速切换