Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=18 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOS-TM3系列

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RS 库存编号:
258-7030
制造商零件编号:
BSZ440N10NS3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PG-TDSON-8

系列

OptiMOS-TM3

安装类型

通孔

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

44mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.8nC

最大功耗 Pd

29W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon OptiMOS 3 功率晶体管提供卓越的解决方案，适用于高效和高功率密度 SMPS。相较于次优的工艺，该产品在 RD 导通和 FOM 方面均降低了 30%。

出色的开关性能

全球最低的 RDS 导通

符合 RoHS 标准，无卤

MSL1 2 级

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


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