Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 15 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SPD15P10P系列

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RS 库存编号:
258-7100
制造商零件编号:
SPD15P10PLGBTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-252

系列

SPD15P10P

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.20Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-0.96V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

230W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

47nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS

汽车标准

Infineon SIPMOS 功率晶体管属于高度创新的 OptiMOS 系列 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格中的最高质量和性能要求,如导通电阻和优势特性等。

增强模式

Avalanche 等级

无铅引线镀层

符合 RoHS 标准