Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, TO-263, 表面安装, 8引脚, BSC252N10NSFGATMA1, BSC系列
- RS 库存编号:
- 258-7681
- 制造商零件编号:
- BSC252N10NSFGATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 包,共 5 件)*
¥45.25
(不含税)
¥51.15
(含税)
有库存
- 另外 4,990 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.05 | RMB45.25 |
| 50 - 495 | RMB8.78 | RMB43.90 |
| 500 - 995 | RMB8.34 | RMB41.70 |
| 1000 - 2495 | RMB7.754 | RMB38.77 |
| 2500 + | RMB7.06 | RMB35.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7681
- 制造商零件编号:
- BSC252N10NSFGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | BSC | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 25.2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 BSC | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 25.2mΩ | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 提供卓越的解决方案,用于高效率和高功率密度 SMPS。与下一个最佳技术相比,此 MOSFET 系列可在 RDS(on)和优势数字上实现 30% 的降低。
出色的切换性能
全球最低导通电阻 RDS(on)
符合 RoHS 标准,无卤素
MSL1 等级 2
