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Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=60 V, 180 A, TSDSON, 表面安装, IPB016N06L3GATMA1, iPB系列

RS Stock No.:: 258-7735
Mfr. Part No.:: IPB016N06L3GATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=60 V, 180 A, TSDSON, 表面安装, IPB016N06L3GATMA1, iPB系列

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RS Stock No.:: 258-7735
Mfr. Part No.:: IPB016N06L3GATMA1
Brand:: Infineon

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Select all	Attribute	Value
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TSDSON
	系列	iPB
	安装类型	表面
	通道模式	P
	标准/认证	No
	汽车标准	否

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	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TSDSON
	系列 iPB
	安装类型表面
	通道模式 P
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPB016N06L3GATMA1

Infineon OptiMOS 3 功率晶体管是开关模式电源同步整流的最佳选择，如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件适用于各种工业应用，其中包括电动机控制、太阳能微型逆变器和快速切换直流-直流转换器。

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