Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 58 A, TDSON, 表面安装, IPB123N10N3GATMA1, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-7741
- 制造商零件编号:
- IPB123N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB13.486 | RMB67.43 |
| 50 - 95 | RMB13.082 | RMB65.41 |
| 100 - 245 | RMB12.426 | RMB62.13 |
| 250 - 495 | RMB11.556 | RMB57.78 |
| 500 + | RMB10.516 | RMB52.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7741
- 制造商零件编号:
- IPB123N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 3 功率晶体管提供卓越的解决方案，用于高效和高功率密度 SMPS。与下一个最佳技术相比，该产品可在导通电阻 RDS(on)和 FOM 中实现 30% 的降低。
出色的切换性能
全球最低导通电阻 RDS(on)
符合 RoHS 标准，无卤素
MSL1 等级 2