Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=30 V, 122 A, TO-220, 表面安装, 8引脚, BSC系列
- RS 库存编号:
- 258-7762P
- 制造商零件编号:
- BSC030N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥139.20
(不含税)
¥157.30
(含税)
有库存
- 另外 4,670 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 495 | RMB2.784 |
| 500 - 995 | RMB2.728 |
| 1000 - 2495 | RMB2.672 |
| 2500 + | RMB2.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7762P
- 制造商零件编号:
- BSC030N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 122A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | BSC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 5.35mm | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 122A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 BSC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.35mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 5.35mm | ||
宽度 1.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 3 功率 MOSFET 具有超低栅极和输出电荷，在小尺寸封装中实现了最低导通电阻，使其成为服务器、数据通信和电信应用中要求严苛的电压调节器解决方案的最佳选择。
超低栅极和输出电荷
最低导通电阻，采用小尺寸封装
卓越的耐热性
Avalanche 等级