Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=30 V, 50 A, TO-263, 表面安装, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-7772P
- 制造商零件编号:
- IPD060N03LGATMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7772P
- 制造商零件编号:
- IPD060N03LGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 3 功率晶体管具有超低栅极和输出电荷，在小尺寸封装中实现了最低导通电阻，使其成为服务器、数据通信和电信应用中要求严苛的电压调节器解决方案的最佳选择。
电池寿命延长
减少功率损耗
易于设计