Infineon P型沟道双线型IR MOSFET, Vds=-30 V, Id=-4 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
258-8196
制造商零件编号:
IRF7306TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

IR MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-4A

最大漏源电压 Vd

-30V

系列

HEXFET

包装类型

SO-8

安装类型

通孔

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

160mΩ

通道模式

双线

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.7nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

4mm

高度

1.75mm

长度

5mm

汽车标准

否

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