Infineon P型沟道双线型IR MOSFET, Vds=-30 V, Id=-4 A, 8针, SO-8, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-8196P
- 制造商零件编号:
- IRF7306TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB342.45
(不含税)
RMB386.95
(含税)
有库存
- 3,950 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB6.849 |
| 100 - 490 | RMB6.438 |
| 500 - 1990 | RMB5.859 |
| 2000 + | RMB5.155 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-8196P
- 制造商零件编号:
- IRF7306TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IR MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -4A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 160mΩ | |
| 通道模式 | 双线 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 4mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IR MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -4A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 160mΩ | ||
通道模式 双线 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 4mm | ||
高度 1.75mm | ||
汽车标准 否 | ||