Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=18 A, 8针, SO-8, IRF8736系列

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包装方式:
RS 库存编号:
258-8204P
制造商零件编号:
IRF8736TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SO-8

系列

IRF8736

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4.8mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最大功耗 Pd

2.5W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

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