Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 100 A, TDSON, 表面安装, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 259-1461
- 制造商零件编号:
- BSC010NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 259-1461
- 制造商零件编号:
- BSC010NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon optimos 25V 产品系列,Infineon 在功率密度和能效方面为分立功率 MOSFET 和封装系统设定了新标准。超低门和输出电荷,以及小尺寸封装中的最低接通状态电阻,使得 optimos 25V 成为服务器、数据通信和电信应用中要求苛刻的电压调节器解决方案的最佳选择。提供半桥配置(电源级别 5x6)。它可最大程度地减少系统中的 EMI,从而使外部降压器网络过时,使产品易于设计。
通过减少多相转换器中的相位数量,可节省整体系统成本
可减少功率损耗并提高所有负载条件的效率