Infineon N沟道MOSFET, Vds=25 V, Id=58 A, 8针, TDSON, BSC系列
- RS 库存编号:
- 259-1473P
- 制造商零件编号:
- BSC050NE2LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 490 | RMB3.369 |
| 500 - 990 | RMB3.201 |
| 1000 - 2490 | RMB2.975 |
| 2500 + | RMB2.709 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1473P
- 制造商零件编号:
- BSC050NE2LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | BSC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 28W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 BSC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 28W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon optimos 25V 产品系列,Infineon 在功率密度和能效方面为分立功率 MOSFET 和封装系统设定了新标准。超低门和输出电荷,以及小尺寸的最低接通状态电阻。它可最大程度地减少系统中的 EMI,从而使外部降压器网络过时,使产品易于设计。
通过减少多相转换器中的相位数量,可节省整体系统成本
可减少功率损耗并提高所有负载条件的效率
使用最小封装(如 CanPAK、S3O8 或封装中的系统解决方案)节省空间