Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=25 V, 40 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, BSZ系列
- RS Stock No.:
- 259-1482P
- Mfr. Part No.:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit |
|---|---|
| 50 - 490 | RMB2.437 |
| 500 - 990 | RMB2.34 |
| 1000 - 2490 | RMB2.27 |
| 2500 + | RMB2.202 |
*price indicative
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- 259-1482P
- Mfr. Part No.:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | BSZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.1Ω | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 BSZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.1Ω | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon optimos 25V 产品系列,Infineon 在功率密度和能效方面为分立功率 MOSFET 和封装系统设定了新标准。超低门和输出电荷,以及小尺寸封装中的最低接通状态电阻,使得 optimos 25V 成为服务器、数据通信和电信应用中要求苛刻的电压调节器解决方案的最佳选择。提供半桥配置(电源级别 5x6)。它可最大程度地减少系统中的 EMI,使外部咬接器网络过时,使产品易于设计。
通过减少多相转换器中的相位数量,可节省整体系统成本
可减少功率损耗并提高所有负载条件的效率
使用最小封装(如 CanPAK、S3O8 或封装中的系统解决方案)节省空间
