Infineon N沟道MOSFET, Vds=120 V, Id=120 A, TO-263, iPB系列

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包装方式：
RS 库存编号:
259-1546
制造商零件编号:
IPB038N12N3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

120V

系列

iPB

包装类型

TO-263

安装类型

表面

通道模式

N

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon 120V optimos 系列同时提供行业最低的接通状态电阻和最快的切换行为,可在广泛的应用中实现出色的性能。120V optimos 技术为优化解决方案提供了新的可能性。

出色的切换性能

世界最低 R DS(on)

非常低的 Q g 和 Q gd

出色的门充电 x R DS(on) 产品 (FOM)

符合 RoHS 标准,无卤素

MSL1 等级 2

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