Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=120 V, 120 A, TO-263, 表面安装, IPB038N12N3GATMA1, iPB系列
- RS 库存编号:
- 259-1546
- 制造商零件编号:
- IPB038N12N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1546
- 制造商零件编号:
- IPB038N12N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 120V optimos 系列同时提供行业最低的接通状态电阻和最快的切换行为,可在广泛的应用中实现出色的性能。120V optimos 技术为优化解决方案提供了新的可能性。
出色的切换性能
世界最低 R DS(on)
非常低的 Q g 和 Q gd
出色的门充电 x R DS(on) 产品 (FOM)
符合 RoHS 标准,无卤素
MSL1 等级 2