Infineon N沟道MOS管, Vds=120 V, 120 A, PG-TO263-3, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 259-1546P
- 制造商零件编号:
- IPB038N12N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥1,071.00
(不含税)
¥1,210.00
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 99 | RMB21.42 |
| 100 - 249 | RMB20.56 |
| 250 - 499 | RMB19.94 |
| 500 + | RMB19.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1546P
- 制造商零件编号:
- IPB038N12N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 120 V | |
| 封装类型 | PG-TO263-3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 120 V | ||
封装类型 PG-TO263-3 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 120V optimos 系列同时提供行业最低的接通状态电阻和最快的切换行为,可在广泛的应用中实现出色的性能。120V optimos 技术为优化解决方案提供了新的可能性。
出色的切换性能
世界最低 R DS(on)
非常低的 Q g 和 Q gd
出色的门充电 x R DS(on) 产品 (FOM)
符合 RoHS 标准,无卤素
MSL1 等级 2
世界最低 R DS(on)
非常低的 Q g 和 Q gd
出色的门充电 x R DS(on) 产品 (FOM)
符合 RoHS 标准,无卤素
MSL1 等级 2