Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=50 A, TO-252, IPD系列
- RS 库存编号:
- 259-1554P
- 制造商零件编号:
- IPD50N04S4L08ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB5.041 |
| 100 - 240 | RMB4.789 |
| 250 - 990 | RMB4.452 |
| 1000 + | RMB4.053 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1554P
- 制造商零件编号:
- IPD50N04S4L08ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.30mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.30mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon N 通道增强模式,符合汽车 AEC Q101 认证。OptiMOS-T 40V 适用于小负载控制切换 3 相和 H 桥式电动机、电动泵等,尤其是与 PWM 控制结合使用。
汽车 AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
工作温度 175°C
绿色封装(符合 RoHS 标准)
100% 雪崩测试