Infineon 双N沟道 P型 MOSFET, Vds=40 V, 20 A, TDSON, 表面安装, IPG系列
- RS 库存编号:
- 259-1556P
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S4L08ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 495 | RMB11.352 |
| 500 - 995 | RMB10.786 |
| 1000 - 2495 | RMB10.026 |
| 2500 + | RMB9.126 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1556P
- 制造商零件编号:
- IPG20N04S4L08ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | IPG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 通道模式 | P | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 双N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 IPG | ||
安装类型 表面 | ||
通道模式 P | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 汽车 MOSFET,双 SS08 (5x6),optimos-T2。它是双超级 S08,可替代多个 DPAK,可显著节省印刷电路板面积和降低系统级别成本。它是较大的源引线框架连接,用于电线粘结。
双 N 通道逻辑电平增强模式
AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
工作温度 175°C
绿色产品(符合 RoHS 标准)
100% 雪崩测试