Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=500 V, 9.9 A, TO-220, 通孔安装, IPP50R380CEXKSA1, IPP系列
- RS 库存编号:
- 259-1561P
- 制造商零件编号:
- IPP50R380CEXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 20 | RMB9.112 |
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| 100 - 495 | RMB8.052 |
| 500 + | RMB7.326 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1561P
- 制造商零件编号:
- IPP50R380CEXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | IPP | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9.9A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 IPP | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolMOS™ CE 系列 MOSFET,14.1A 最大持续漏极电流,98W 最大功率耗散 - IPP50R380CEXKSA1
这款 MOSFET 专为高压电源应用而设计,注重效率和可靠性。它采用 CoolMOS™ 技术,在提高开关性能的同时最大限度地降低了损耗,从而使其在各种工业应用中发挥了优势,并大大加强了能源管理。
特点和优势
• 低 Rds(on) 可减少传导损耗,从而提高效率
• 高连续漏极电流额定值可满足严格的应用要求
• 易于驱动,可简化与现有系统的集成
• 灵活的栅极阈值电压拓宽了与不同电路的兼容性
• 坚固的包装设计可确保在具有挑战性的环境中经久耐用
应用
• 适用于功率因数校正 (PFC) 阶段
• 在硬开关 PWM 阶段运行良好
• 适用于 LCD 和 PDP 电视机的谐振开关
• 有效照明 实现高效电源管理
• 用于个人电脑和自动化系统的电源中
最佳栅源电压是多少?
MOSFET 的最大栅源电压为 ±30 V,可在各种应用中优化控制。
该元件在热环境中的性能如何?
它的最大功率耗散为 98 W,可在 -55°C 至 +150°C 之间高效工作,因此适用于各种热条件。
该元件能否处理脉冲电流?
它可以管理高达 32.4A 的脉冲电流,在不影响性能的情况下,出色地支持瞬态条件。
超结技术有哪些优势?
超结技术降低了开关损耗和传导损耗,提高了整体效率,延长了应用中器件的使用寿命。
