Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 6 A, PG-TO220-3, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS^TM系列
- RS 库存编号:
- 259-1574
- 制造商零件编号:
- SPP06N80C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
小计(1 管,共 50 件)*
¥357.25
(不含税)
¥403.70
(含税)
有库存
- 350 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 + | RMB7.145 | RMB357.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1574
- 制造商零件编号:
- SPP06N80C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | CoolMOS^TM | |
| 包装类型 | PG-TO220-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.9Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC1, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 CoolMOS^TM | ||
包装类型 PG-TO220-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.9Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC1, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon coolmostm 功率晶体管是开关应用,它是工业应用,具有高直流散装电压。它符合 JEDEC1 标准,适用于目标应用。
极限 dv/dt 额定值
高峰值电流能力
超低门充电
超低有效电容
