Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=54.9 A, 3针, PG-TO-247, CoolMOS^TM系列
- RS 库存编号:
- 259-1579
- 制造商零件编号:
- SPW55N80C3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 件)*
RMB100.90
(不含税)
RMB114.02
(含税)
有库存
- 5 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB100.90 |
| 5 - 9 | RMB98.88 |
| 10 - 99 | RMB92.74 |
| 100 - 249 | RMB89.96 |
| 250 + | RMB87.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1579
- 制造商零件编号:
- SPW55N80C3FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 54.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | PG-TO-247 | |
| 系列 | CoolMOS^TM | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.085Ω | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 54.9A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 PG-TO-247 | ||
系列 CoolMOS^TM | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.085Ω | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 800V coolmos C3 是 Infineon 2001 年上市的第三个 coolmos 系列。C3 是产品组合的工作马。它具有高效率和高功率密度。
低特定接通状态电阻 (RDS(接通)*A)
400V 时输出电容 (Eoss) 的能量储存非常低
低门充电 (Qg)
现场经验证的 coolmos 质量
自 1998 年以来,Infineon 一直在制造 Coolmos 技术
相关链接
- Infineon N沟道 MOSFET, Vds=800 V, 54.9 A, PG-TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS^TM系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 47 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SPW47N60C3FKSA1, CoolMOS C3系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SPW20N60S5FKSA1, CoolMOS S5系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=560 V, 32 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SPW32N50C3FKSA1, CoolMOS C3系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=560 V, 16 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SPW16N50C3FKSA1, CoolMOS C3系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 11 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SPW11N80C3FKSA1, CoolMOS C3系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SPW35N60C3FKSA1, CoolMOS C3系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 20.7 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SPW20N60C3FKSA1, CoolMOS C3系列
