Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=100 V, 135 A, TO-263, 表面安装, iPB系列

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RS 库存编号:
259-2586
制造商零件编号:
IPB043N10NF2SATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

135A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

iPB

安装类型

表面

通道模式

P

正向电压 Vf

1.2V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 经优化用于各种应用,如 SMPS、电动机驱动、电池供电、电池管理、UPS 和轻型电动车辆。与之前的 StrongIRFET 器件相比,这种新技术提供高达 40% 的 RDS(on) 改进和高达 60% 的 Qg 降低,从而提高功率效率,从而提高整体系统性能。增加的额定电流允许更高的电流承载能力,无需并行多个器件,从而降低 BOM 成本和板节省。

从分销合作伙伴提供广泛的可用性

出色的价格/性能比

特别适用于高和低切换频率

工业标准通孔封装

高额定电流