Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=100 V, 103 A, TO-263, 表面安装, iPB系列

可享批量折扣

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

¥127.00

(不含税)

¥143.50

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 744 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
10 - 98RMB12.70
100 - 248RMB11.44
250 - 498RMB10.28
500 +RMB9.26

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
259-2592P
制造商零件编号:
IPB050N10NF2SATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

103A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

iPB

包装类型

TO-263

安装类型

表面

通道模式

P

正向电压 Vf

1.2V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 经优化用于各种应用,如 SMPS、电动机驱动、电池供电、电池管理、UPS 和轻型电动车辆。与之前的 StrongIRFET 器件相比,这种新技术提供高达 40% 的 RDS(on) 改进和高达 60% 的 Qg 降低,从而提高功率效率,从而提高整体系统性能。增加的额定电流允许更高的电流承载能力,无需并行多个器件,从而降低 BOM 成本和板节省。

从分销合作伙伴提供广泛的可用性

出色的价格/性能比

特别适用于高和低切换频率

工业标准通孔封装

高额定电流